打開手機(jī)和電腦，里面使用的芯片來(lái)自哪里，你注意過(guò)嗎？

你可能回答：英特爾、蘋果、AMD、高通、英偉達(dá)……這些鼎鼎有名的芯片廠商，是很多人購(gòu)買電子產(chǎn)品時(shí)重點(diǎn)關(guān)注的指標(biāo)，也是產(chǎn)品的核心賣點(diǎn)。

手機(jī)卡不卡、大型游戲能不能在電腦上運(yùn)行，芯片好不好用，消費(fèi)者的感受太直接了。

但還有一類芯片，你可能很少關(guān)注過(guò)，也很少聽(tīng)過(guò)——存儲(chǔ)芯片。

每個(gè)人手上的電腦和手機(jī)，都必帶存儲(chǔ)芯片。如果把邏輯芯片比作“大腦”，執(zhí)行運(yùn)算、控制和決策，存儲(chǔ)芯片就像一個(gè)“倉(cāng)庫(kù)”，負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和記憶。

如果沒(méi)有存儲(chǔ)芯片這個(gè)數(shù)據(jù)“倉(cāng)庫(kù)”，CPU、GPU這些頂級(jí)工人就會(huì)“無(wú)事可做”。

和邏輯芯片一樣，存儲(chǔ)芯片從設(shè)計(jì)到制造，都長(zhǎng)期被國(guó)外壟斷，市場(chǎng)高度集中。

業(yè)內(nèi)稱之為存儲(chǔ)芯片“三巨頭”或“五巨頭”，來(lái)自韓、日、美三個(gè)國(guó)家。

在這個(gè)普通人不太關(guān)注的存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，實(shí)際上也正發(fā)生一場(chǎng)激烈的攻防戰(zhàn)。

攻擂的一方來(lái)自中國(guó)：武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。

他們作為國(guó)內(nèi)僅有的存儲(chǔ)芯片“雙子星”，被寄予突破“卡脖子”技術(shù)的厚望，正在強(qiáng)勢(shì)撼動(dòng)原有格局。

存儲(chǔ)芯片雖然是不在聚光燈下的“幕后英雄”，其市場(chǎng)規(guī)模也不容小覷。

根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）數(shù)據(jù)，2025年全球存儲(chǔ)芯片銷售額預(yù)計(jì)達(dá)到1848.41億美元，是個(gè)妥妥的千億市場(chǎng)。

存儲(chǔ)芯片是個(gè)強(qiáng)周期的行業(yè)，有漲有跌。我們目前迎來(lái)的，正是存儲(chǔ)器的超級(jí)繁榮周期。

摩根士丹利預(yù)測(cè)，這個(gè)超級(jí)周期將持續(xù)數(shù)年，主要由AI驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)2027年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模突破3000億美元。

OPEN AI、谷歌這些AI巨頭每天都在消耗巨量存儲(chǔ)芯片。畢竟，大模型訓(xùn)練需要大量的數(shù)據(jù)。

存儲(chǔ)芯片有兩大主要類型：DRAM和NAND。要理解這兩者的區(qū)別很簡(jiǎn)單，打個(gè)比方：DRAM是你手機(jī)里的運(yùn)行內(nèi)存，NAND則是手機(jī)里的存儲(chǔ)空間。

比如，你手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存是8G，存儲(chǔ)空間是256G。前者說(shuō)的是DRAM，后者說(shuō)的是NAND。

當(dāng)你打開一個(gè)APP，軟件的程序和數(shù)據(jù)從NAND（硬盤）被加載到DRAM中，供你編輯。DRAM像個(gè)“工作臺(tái)”，NAND像個(gè)“倉(cāng)庫(kù)”。

開源證券陳蓉芳指出，AI服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，單臺(tái)AI服務(wù)器的DRAM用量約為傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND用量約為3倍，2025年AI對(duì)存儲(chǔ)的需求占比達(dá)到40%，未來(lái)或?qū)⑦M(jìn)一步提升。

存儲(chǔ)芯片巨頭之一SK海力士曾透露，OpenAI每月對(duì)DRAM晶圓的需求量將高達(dá)90萬(wàn)片。

作為人工智能的重要集成設(shè)施，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格也像坐上了火箭，一路高漲。

TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度，全球DRAM芯片價(jià)格同比暴漲171.8%，NAND Flash價(jià)格漲幅也達(dá)到98.5%，

“漲得比黃金還快?！贝鎯?chǔ)芯片上下游公司的機(jī)器都開足了馬力。

國(guó)內(nèi)企業(yè)能從這輪超級(jí)繁榮中受益嗎？

還真有。就是上述的長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)主攻領(lǐng)域在NAND，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)主攻領(lǐng)域在DRAM。

這兩家公司也是目前來(lái)說(shuō)，唯一有希望在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域能與國(guó)際巨頭抗衡的中國(guó)企業(yè)。

用“唯一”這個(gè)詞，并不夸張。

很多人可能問(wèn)，既然存儲(chǔ)芯片大短缺，為什么其他地區(qū)不去爭(zhēng)分這塊大蛋糕呢？

蛋糕大是大，卻不是誰(shuí)都有能力吃得下。

因?yàn)檫@是個(gè)典型的重資本、投入時(shí)間長(zhǎng)的行業(yè)。

今年9月，長(zhǎng)存三期成立，注冊(cè)資本達(dá)到207億元。建一座晶圓工廠，動(dòng)輒就是百億投資。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也不遑多讓。

長(zhǎng)鑫2019年投產(chǎn)的12寸存儲(chǔ)晶圓制造基地項(xiàng)目，當(dāng)時(shí)計(jì)劃分三期建設(shè)三座12寸DRAM存儲(chǔ)晶圓工廠，總投資不低于1500億元，媒體報(bào)道為安徽省單體投資最大的工業(yè)項(xiàng)目。

2015年，發(fā)展存儲(chǔ)器芯片被確定為國(guó)家戰(zhàn)略。1380億元國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和近1400億元地方基金隨后建立。

2016年，國(guó)家存儲(chǔ)器基地落戶武漢。

落戶武漢的一個(gè)重要原因，是中西部地區(qū)中，武漢在集成電路領(lǐng)域相對(duì)起步早、有基礎(chǔ)。

21世紀(jì)初，武漢就敏銳意識(shí)到，過(guò)去看“鋼”，未來(lái)看“硅”。超高純度的硅片，是芯片制造的基礎(chǔ)材料。

2006年武漢新芯誕生。據(jù)長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)報(bào)道，當(dāng)時(shí)，武漢新芯一期省、市拿出了107億元的投資，占當(dāng)年省內(nèi)國(guó)有經(jīng)濟(jì)投資總額的近十分之一。

《芯事 — 一本書讀懂芯片產(chǎn)業(yè)》一書中曾提到，武漢新芯的早期發(fā)展頗為波折，先后遭遇了全球動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的價(jià)格暴跌和主要客戶的瀕臨破產(chǎn)。直到2012年，武漢新芯仍處于虧損狀態(tài)。

2013年，時(shí)年54歲的原中芯國(guó)際首席運(yùn)營(yíng)官楊士寧博士接受武漢東湖開發(fā)區(qū)的邀請(qǐng)，加入武漢新芯任首席執(zhí)行官。楊士寧有留美經(jīng)歷，任職于芯片巨頭英特爾十多年，又在中芯國(guó)際主管技術(shù)。楊士寧掌舵后，武漢新芯三維閃存技術(shù)水平逐步靠近海力士、美光等國(guó)際巨頭。

等到國(guó)家存儲(chǔ)器基地落地，此時(shí)武漢新芯已經(jīng)發(fā)展了十個(gè)年頭。

那一年，在合肥，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成立；在武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立。

從股權(quán)結(jié)構(gòu)看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一開始就肩負(fù)著國(guó)家的厚望。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（“大基金”）、湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和湖北科投共同出資，湖北科投也是武漢新芯的股東。二期由紫光集團(tuán)和“大基金”共同出資。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首任CEO正是楊士寧。楊士寧判斷，NAND閃存儲(chǔ)存的需求量將隨著云端運(yùn)算、智能終端機(jī)的發(fā)展而持續(xù)增長(zhǎng)10倍。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的目標(biāo)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將通過(guò)跳躍式的發(fā)展，在2019年實(shí)現(xiàn)與世界前端差半代技術(shù)，2020年與世界領(lǐng)先技術(shù)“并跑”。

現(xiàn)實(shí)中長(zhǎng)江存儲(chǔ)的確實(shí)現(xiàn)了“跳躍式發(fā)展”——

2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3DNAND成功進(jìn)入市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)3D NAND零的突破；

2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)第二代64層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；

2020年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)96層，直接128層3DNAND研發(fā)成功，達(dá)到全球閃存主流水平；次年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代TLC/QLC NAND量產(chǎn);

2022年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)第四代TLC 3D NAND研發(fā)成功；次年第四代TLC/QLC NAND量產(chǎn)。232層的堆疊層數(shù)和存儲(chǔ)密度達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平……

2024年，第五代TLC 3D NAND研發(fā)成功并量產(chǎn)。

看到這里，你可能有個(gè)疑問(wèn)，為什么存儲(chǔ)芯片要越疊越高？

如果把存儲(chǔ)芯片比喻成蓋樓，最開始工程師們蓋的是2D的樓，相當(dāng)于只建一層樓，有很多小房間（cell），每個(gè)小房間里都能存儲(chǔ)信息。

可是如果要建更多房間，地基也必須變大，意味著芯片就越做越大。

于是，工程師們想出了一個(gè)巧妙的辦法，能不能垂直建？3D NAND誕生了，它可以比喻為一幢儲(chǔ)存信息的摩天大樓。堆疊層數(shù)越高，存儲(chǔ)密度也就越大。堆疊層數(shù)越高，對(duì)工藝的要求也就越高。

這種工藝要求精細(xì)到哪種地步呢？

請(qǐng)想象一個(gè)場(chǎng)景——

你正在長(zhǎng)江邊，拿出你1200萬(wàn)像素的手機(jī)，拍下了一張長(zhǎng)江大橋與夕陽(yáng)的絕美合照。

這張照片包含1200萬(wàn)個(gè)像素，以2.88億個(gè)比特（bit）的形式存儲(chǔ)起來(lái)。每個(gè)TLC存儲(chǔ)單元能存儲(chǔ)3bits 信息，每個(gè)QLC存儲(chǔ)單元能存儲(chǔ)4 bits信息。

這也意味著，這一張簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單的照片，如果不被手機(jī)壓縮，理論上需要接近7200萬(wàn)~9600萬(wàn)個(gè)存儲(chǔ)單位（cell）來(lái)存儲(chǔ)。

一顆高端3D NAND存儲(chǔ)芯片，其面積約指甲蓋大小。在指甲蓋大小內(nèi)，制造廠商們垂直堆疊了超過(guò)200層的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，并集成了數(shù)百億個(gè)這樣的存儲(chǔ)單元。

這200多層的“摩天大樓”，高度可能僅為一根頭發(fā)絲直徑的幾分之一到幾十分之一，每一層都要求極度的平整和均勻。

而每個(gè)相鄰“小房間”（存儲(chǔ)單元）之間的間隔，只有20-40納米，約為頭發(fā)絲直徑的1/2600。

這種極致的工藝，也決定了存儲(chǔ)芯片只能是少數(shù)參與者的競(jìng)爭(zhēng)。

長(zhǎng)存與長(zhǎng)鑫，難以替代。

十年磨一劍。距離長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成立，也即將迎來(lái)十年之期。

他們?cè)诟髯灶I(lǐng)域研發(fā)攻關(guān)，不僅獲得了競(jìng)賽的入場(chǎng)券，更搶占了原本屬于國(guó)際巨頭的市場(chǎng)份額。

長(zhǎng)期以來(lái)，全球NAND Flash市場(chǎng)由四大陣營(yíng)主導(dǎo)：三星、SK海力士、鎧俠/西部數(shù)據(jù)聯(lián)盟以及美光。

其中，三星市場(chǎng)份額最高，約35%。四大陣營(yíng)的市場(chǎng)份額總和約85%。

作為國(guó)內(nèi)唯一3D Nand芯片廠商，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2021年首次進(jìn)入全球排行榜，市場(chǎng)份額在2%左右。2022年被列入“實(shí)體清單”，市場(chǎng)份額的增長(zhǎng)受阻。調(diào)整戰(zhàn)略后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年市場(chǎng)份額首次沖刺到9%，距離兩位數(shù)僅一步之遙。

長(zhǎng)存三期達(dá)產(chǎn)后，市場(chǎng)份額或繼續(xù)上升至15%。

今年2月，韓國(guó)媒體ZDNet Korea報(bào)道稱，三星電子近日與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了專利許可協(xié)議，將從后者獲得3D NAND“混合鍵合”專利，該專利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術(shù)。

三星作為存儲(chǔ)芯片行業(yè)領(lǐng)頭羊，從中國(guó)企業(yè)獲得專利授權(quán)，被認(rèn)為是一件罕見(jiàn)的事。

DRAM市場(chǎng)更為集中，由三星、SK海力士、美光三大巨頭壟斷超90%產(chǎn)能。今年第三季度，“三巨頭”的市場(chǎng)份額同樣約為90%。

2024年Q3至2025年Q3 DRAM市場(chǎng)份額分布。圖源：Counterpoint Research Memory Tracker長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的份額在逐步上升。今年前三季度，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的營(yíng)收份額上升至5%。

市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Counterpoint今年6月預(yù)測(cè)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2025年DRAM出貨量將同比增長(zhǎng)50%，在整體DRAM市場(chǎng)的出貨份額預(yù)計(jì)將從第一季度的6%增至第四季度的8%。

現(xiàn)在這兩家公司的估值，都在千億元級(jí)別。

目前，長(zhǎng)鑫科技已完成上市輔導(dǎo)。此前2024年3月，公司以108億元完成新一輪融資，投前估值超1400億元。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)則以1600億元估值首次登上胡潤(rùn)《2025全球獨(dú)角獸榜》。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，讓武漢與合肥在全國(guó)存儲(chǔ)器格局中顯得舉足輕重。

他們堪比“雙子星”，代表中國(guó)力量攀登科技與工業(yè)實(shí)力的高峰。

武漢提出打造“世界存儲(chǔ)之都”，這正是底氣所在。

來(lái)源：九派新聞

編輯：孫弋雯

二審：黃韶光

三審：吳東來(lái)